Yazar "Kalkan, Mehmet" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
  • Küçük Resim
    Öğe
    ZnTe/Si heteroeklem yapıların akım iletim mekanizmalarının incelenmesi
    (Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019) Kalkan, Mehmet; Aksoy Akgül, Funda
    Yarı iletken p-n heteroeklem yapıların elektriksel özelliklerinin daha iyi anlaşılması, gelecekte ideal özelliklere sahip uzun ömürlü diyotların ve transistörlerin üretimini mümkün kılar. Bu tez çalışmasının temel amacı, ZnTe/Si yapısından oluşan p-n heteroeklemlerindeki akım-iletim mekanizmalarının ayrıntılı bir araştırmasıdır. Heteroeklemli diyotlar, p-tipi ZnTe ince filmlerinin tek tarafı parlatılmış n-tipi (100)-yönelimli kristal Si alttaşlar üzerine RF magnetron saçtırma tekniği ile kaplanmasıyla oluşturuldu. Üretilen yapıların aygıt özelliklerini ve baskın iletim mekanizmasını belirlemek için, heteroeklemlerin sıcaklık bağımlı akım-gerilim (I-V) ve frekans bağımlı kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri karanlık ortamda incelendi. İdealite faktörü (n), doyum akımı (I0) ve bariyer yüksekliği (?B) gibi temel diyot parametreleri 20 K sıcaklık adımlarıyla 220-360 K sıcaklık aralığında belirlendi. Elektriksel ölçümler yapıların oda sıcaklığında iyi tanımlı doğrultucu davranış sergilediğini ve ±2 V gerilim değerlerinde ?2,4?104 doğrultma oranına ve n = 2,13 değerinde küçük idealite faktörüne sahip olduğunu gösterdi. Elde edilen n, I0 and ?B değerleri sırasıyla 2,76–1,93, 1,13?10-11?7,56?10-10 A ve 0,6–0,91 eV aralığında bulundu.