Yazar "Temir, Hamza" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Cu/p-Si Schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
    (Niğde Üniversitesi, 2005) Temir, Hamza; Gümüş, Ahmet
    ÖZET Cu/p-Si SCHOTTKY DİYOTLARINDA AKIM MEKANİZMALARININ BELİRLENMESİ TEMİR,Hamza Niğde Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Ana Bilim Dalı Danışman :Yrd. Doç. Dr. Ahmet GÜMÜŞ Temmuz 2005, 80 sayfa Bu çalışmada, yüksek özdirençli [111] doğrultusunda kesilmiş p-tipi Si kristalinden yapılan Al/pSi/Cu Schottky diyot yapısının akım iletim mekanizması ve karakteristik parametreleri araştırıldı. Yapıya ait parametrelerin bulunmasında I-V karakteristikleri kullanıldı. N.V. Cheung ve S.K. Cheung tarafından verilen yöntemle diyot parametreleri hesaplandı. Schottky diyot yapısındaki omik kontak, Al-Si (p-tipi) sistemin eutectik sıcaklığı olan 577 °C 'de alaşım yapılması ile; doğrultucu kontak ise Cu metalinin p-tipi Si'a vakumda termal buharlaştırma yöntemiyle gerçekleştirildi. Buharlaştırma işlemleri 10"5 torr basınçta gerçekleştirildi. Yapıların akım-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında, karanlık ortamda yaklaşık 0-8 Volt aralığında ters ve düz belsemlerde alınmıştır. Ayrıca, Schottky diyot yapısının I-V karakteristikleri yardımı ile Schottky çiziminden dt>p= 0,78 eV, doğru beslem [dV/cUnl ]-I ve H(I)-I karakteristiklerinden eOp= 0,80 eV değerleri bulundu. Diyot idealite çarpanı n = 1,66 ile diyot seri direnci Rs=57,21 kQ ve Rs=51,36 kfi olarak bulundu. Anahtar sözcükler: Schottky diyot, Silisyum, idealite faktörü, metal-yaniletken kontak, omik kontak, doğrultucu kontak, yüzey durumları, oksit, donor, akseptör. m