Yazar "Uluer, Serhat" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Al/p-Si/Sn schottky yapılarının akım-voltaj karekteristiklerinin incelenmesi
    (Niğde Üniversitesi, 2006) Uluer, Serhat; Gümüş, Ahmet
    Bu çalıºmada, yüksek özdirençli [111] doðrultusunda kesilmiº p-tipi Si kristalindenyapı Al/p-Si/Sn Schottky diyot yapı nı akı iletim mekanizması ve karakteristiklan sı n mparametreleri araºtı ldı Schottky diyot yapı ndaki omik kontak, Al-Si (p-tipi)rı . sıðıolan 577 0C'de alaºı yapısisteminin ötektik sıcaklı m lması ile; doðrultucu kontak iseSn metalinin p-tipi Si'a vakumda ı sal buharlaºtı lması yöntemiyle gerçekleºtirildi.sı rırma iºlemleri 10-5 torr basıBuharlaºtı nçta gerçekleºtirildi.Yapı n akıları m-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklı nda, karanlı ortamda yaklaºıðı k kolarak 0-4 Volt aralı nda ters ve düz beslemlerde alı ºtı Yapı ait parametrelerinðı nmı r. yabulunmasında akım-voltaj karakteristikleri kullanı . Diyot parametreleri Cheung veldıCheung tarafından verilen yöntemle hesaplandı Ayrı Schottky diyot yapı nı I-V. ca, sı nmıile Schottky çiziminden eÖ p= 0.73 eV, doðru beslem [dV/dlnIkarakteristikleri yardı]-I ve H(I)-I karakteristiklerinden eÖ p= 0.75 eV deðerleri bulundu. Diyot idealiteçarpanın = 1.64 ile diyot seri direnci Rs=6.45 kΩ ve Rs=8.87 kΩ olarak bulundu.Anahtar sözcükler: Schottky diyot, Silisyum, idealite faktörü, metal-yarıiletken kontak,omik kontak, doðrultucu kontak, yüzey durumları oksit, donor, akseptör.,iiiAcroPDF - A Quality PDF Writer and PDF Converter to create PDF files. To remove the line, buy a license.