n-GaAs yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorKayalı, Refik
dc.contributor.authorŞane, Şakir
dc.date.accessioned2024-11-04T20:07:37Z
dc.date.available2024-11-04T20:07:37Z
dc.date.issued2005
dc.departmentNiğde ÖHÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
dc.descriptionBu tezin, veri tabanı üzerinden yayınlanma izni bulunmamaktadır. Yayınlanma izni olmayan tezlerin basılı kopyalarına Üniversite kütüphaneniz aracılığıyla (TÜBESS üzerinden) erişebilirsiniz.
dc.descriptionFen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
dc.description.abstractÖZET n-GaAs YARlİLETKENİ ÜZERİNE SHOTTKY DİYODUNUN YAPIMI, DİYOTUN ELEKTRİKSEL ÖZELİKLERİNİN İNCELENMESİ. ŞANE, Şakir Niğde Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Prof. Dr. Refik KAYALI Ağustos 2005, 43 sayfa Ohmik kontak yapmanın yöntemlerinden biri, n tipi GaAs (Galyum Arsenit) yarıiletkeni üzerine yapılan metali kalaylama tekniğidir. Metalin düşük erime sıcaklığı (230°C) kontak yapma esnasında yarıiletken yapışırım değişmeyeceğinin bir garantisidir. Schottky kontaklar yapılmadan önce yarıiletken numuneler temizlendi ve yakıldı. Schottky kontaklar vakum altında gümüş kalaylaması ile yapıldı. Yapılan her schottky diyotu TO-5 transistor başlığı üzerine monte edildi. Schottky diyotları I-V ve C-V ölçümlerinde kullanıldı.her diyot için elde edilen I-V ve C-V dataları tartışıldı. Schottky diyotunun elektriksel özellikleri, yarıiletken yüzeyin çok geniş bir şekilde bağlı olduğu bulundu. Anahtar sözcükler: Schottky Diyot, Galyum Arsenit, I-V ve C-V Ölçümleri, Ohmik Kontak, Metal- Yarıiletken Kontaklar. İnce Film u
dc.description.abstractSUMMARY PRODUCTION OF SCHOTTKY DIODE ON n-TYPE GaAs SEMICONDUCTOR, AND INVESTIGATING ITS ELECTRICAL PROPERTIES. SANE, Şakir Nigde University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor : Prof. Dr. Refik KAYALI August 2005, 43 pages A common method of forming ohmic contacts is the alloying technique whereby a metal (tin) is alloyed to the heavily doped substrate of the n-GaAs sample. The low metling temperature (23 0C) ensured that there was no change in the composition of the InP during the contact formation. The samples were cleaned and etched before the making of Schottky contacts. The Schottky contacts were produced by the evaporation of silver globules under vacuum. Each fabricated Schottky diode was mounted on a TO-5 transistor header. The mounted Schottky diyotes were used for I-V and C-V measurements. The I-V and C-V spectra of each diode are discussed. It is found that the electrical properties of a Schottky diode depend to a large extent on the surface of the semiconductor. Key Words : Schottky Diode, Gallium Arsenide, I-V and C-V Measurements, Ohmic Contact, Metal-Semiconductor Contacts, Thin Film m
dc.identifier.endpage53
dc.identifier.startpage1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11480/9274
dc.identifier.yoktezid167929
dc.language.isotr
dc.publisherNiğde Üniversitesi
dc.relation.publicationcategoryTez
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_2024
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliği
dc.subjectPhysics and Physics Engineering
dc.titlen-GaAs yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
dc.title.alternativeProduction of Schottky diode on n-type GaAs semiconductor, and investigating its electrical properties
dc.typeMaster Thesis

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu