CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diyotlarının elektriksel karakteristiklerinin hesaplanması

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorGümüş, Ahmet
dc.contributor.authorÖzkara, Yusuf
dc.date.accessioned2024-11-04T20:07:37Z
dc.date.available2024-11-04T20:07:37Z
dc.date.issued2007
dc.departmentNiğde ÖHÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
dc.descriptionFen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
dc.description.abstractBu çalışmada [100] yönelimine sahip, oda sıcaklığındaki özdirenci, ?? 0,07352 ??cm, kalınlığı 400 ?m olan Moleculer Beam Epitaxy (MBE) tekniği ile büyütülmüş n-tipi GaAs yar?iletken kristali kullan?ld?. Bu kristalin bir yüzeyine 10 ? 5 torr bas?nç alt?nda CrNiCo alaşımı buharlaştırılıp doğrultucu kontak oluşturuldu. Diğer yüzeyine de 10 ? 5 torr basınç altında AuGe alaşımı buharlaştırılarak omik kontak oluşturuldu. Böylelikle CrNiCo/MBE n-GaAs Schottky diyotlar? elde edildi. Oda sıcaklığında I-V ve C-V ölçümleri yap?ld?. Sonuç olarak, o ? = 0,83 eV, 0 V = 1,21 eV ve n = 1,83'luk değerlerin literatürle uyumlu olması Schottky diyotlar için önemli uygulamalara sahip olabileceği görüşüne var?ld?. Anahtar Sözcükler: Schottky diyot, idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç ve doğrultma oranı.
dc.description.abstractIn this study, n-type GaAs semiconducor crystal grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique which has [100] direction, was the crystal thickness 400 ? m and it's room temprature resistivity was ?? 0,07352 ? -cm was used. By being evaporated CrNiCo alloy under 10 ? 5 torr pressure to a facet of the crystal, directive contact has been formed. By being evaporated AuGe alloy under 10 ? 5 torr pressure to other facet of it, omic contact has been formed as result of that, CrNiCo/MBE n-GaAs Schottky diodes have been made. I-V and C-V measurments were done at room temperature. Consequently, o ? = 0,83 eV, 0 V = 1,21 eV ve n = 1,83, as the values are suitable for the literature, it has been agreement of opinion that the values will be able to have the important application for Schottky diodes. Keywords: Schottky D?ode, İdeality Factor, Barrier Height, Serial Resistance, rectifing range.
dc.identifier.endpage46
dc.identifier.startpage1
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=-Z0vbSUgrhM9fXoGkRe6Q0L-rpOoqOEMnwoo1pUr_4eyx5EnGLntqCUwvqOOxYqB
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11480/9259
dc.identifier.yoktezid222773
dc.language.isotr
dc.publisherNiğde Üniversitesi
dc.relation.publicationcategoryTez
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_2024
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliği
dc.subjectPhysics and Physics Engineering
dc.titleCrNiCo/MBE n-GaAs schottky diyotlarının elektriksel karakteristiklerinin hesaplanması
dc.title.alternativeThe calculation of electrical characteristics in cCrNiCo/MBE n-GaAs schottky diodes
dc.typeMaster Thesis

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu