KÜPRİK OKSİT/SİLİSYUM HETEROEKLEMLİ NANODİYOTLARIN FOTOVOLTAİK ÖZELLİKLERİ

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorFunda Aksoy Akgül
dc.date.accessioned2019-08-01T13:38:39Z
dc.date.available2019-08-01T13:38:39Z
dc.date.issued2017
dc.departmentNiğde ÖHÜ
dc.description.abstractAygıt uygulamaları için nanoyapılı materyallerin sentezlenmesinde, ucuz olması sebebiyle solüsyon-bazlı yaklaşımlar kullanılır. Bu çalışmada, Küprik oksit/Silisyum p-n heteroeklemli nanodiyotların fotovoltaik performansı incelenmiştir. Yüksek yoğunluklu ve dikey olarak düzgün sıralanmış Silisyum nanotel kümeleri, n-tipi (100)-yönelimli kristal Silisyum dilimi üzerine akımsız dağlama tekniği ile sentezlendi. Daha sonra, üç-boyutlu heteroyapılar üretmek için p-tipi Küprik oksit ince filmleri Silisyum nanoteller üzerine kimyasal depolama yöntemi ile kaplandı. Akım-gerilim (I-V) ölçümleri, üretilen heteroeklemli diyotların fotovoltaik özelliklerini incelemek için kullanıldı. AM 1.5 G aydınlatma koşulları altında en yüksek güç dönüştürme verimliliği %0,58 olarak bulundu. Ayrıca, 4001100 nm arasında geniş bir dalgaboyu spektrumunda oldukça yüksek dış kuantum verimi saptandı
dc.description.abstractSolution-based approaches are used to prepare nanostructured materials for device applications to reduce material production and device fabrication costs. In this study, photovoltaic performance of Cupric oxide/Silicon p-n heterojunction nanodiodes were investigated. Highly dense and vertically well-aligned Silicon nanowire arrays were successfully synthesized on a n-type (100)-oriented Si wafer through electroless etching technique. p-type Cupric oxide thin films were then coated onto Silicon nanowires via chemical bath deposition method to form three-dimensional heterostructures. Current-voltage (I-V) measurements were utilized to examine photovoltaic properties of the fabricated heterojunction diodes. The maximum power conversion efficiency were found to be 0.58% under simulated solar irradiation of AM 1.5 G. Furthermore, relatively high external quantum efficiency over a broadband spectrum of wavelengths between 400-1100 nm was detected
dc.identifier.endpage471
dc.identifier.issn2147-9364
dc.identifier.issue4
dc.identifier.startpage460
dc.identifier.trdizinid257216
dc.identifier.urihttps://app.trdizin.gov.tr/makale/TWpVM01qRTJOZz09
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11480/3422
dc.identifier.volume5
dc.indekslendigikaynakTR-Dizin
dc.institutionauthorFunda Aksoy Akgül
dc.language.isotr
dc.relation.ispartofSelçuk Üniversitesi Mühendislik Bilim ve Teknoloji Dergisi
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectMühendislik
dc.subjectOrtak Disiplinler
dc.titleKÜPRİK OKSİT/SİLİSYUM HETEROEKLEMLİ NANODİYOTLARIN FOTOVOLTAİK ÖZELLİKLERİ
dc.title.alternativePhotovoltaic Characteristics of Cupric Oxide/Silicon Heterojunction Nanodiodes
dc.typeArticle

Dosyalar

Koleksiyon

TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu