Düşük Tellür Katkılı CuInGaSe2 İnce Filmlerin Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi
Küçük Resim Yok
Tarih
2019
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada Cu(In,Ga)(Se1-yTey)2 ince filmleri, külçe formundaki yapının elektron demeti ile buharlaştırılıp yüksek sıcaklıkta tavlanması ile elde edildi. Örneklerin X-ışını kırınım desenleri (XRD), Raman spektrumları, yüzey görüntüleri ile atomik konsantrasyon ölçümleri alınarak katkısız ve düşük Te katkılı örneklerin yapısal özellikleri ayrıntılı olarak incelenerek karşılaştırıldı. XRD desenlerinde, katkısız CIGS ince filminde, Cu(In,Ga)Se2 ve CuIn3Se5 gibi bir faz ayrışımının ortaya çıktığı, Te katkısı ile beraber faz ayrışımının ortadan kalktığı görüldü. Örneklere ait A1 Raman modlarının deneysel değerleri, teorik bir yaklaşımla elde edilen değerler ile karşılaştırıldı. Yüzey fotoğrafları incelendiğinde, Te katkısı ile beraber film yüzeyinin daha düzgün (uniform) hale geldiği ve tanelerin mikron-altı boyutlarında oluştuğu görüldü. Benzer şekilde, yapıdaki kompozisyon profilinin iyileştiği (Ga miktarının arttığı) ve hedeflenen miktarda Te’ün neredeyse yapıya girdiği görüldü.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Mikroskopi, Biyoloji, Malzeme Bilimleri, Tekstil, Spektroskopi, Malzeme Bilimleri, Özellik ve Test, Ince film, Bakır, Selenyum, İndiyum, Galyum, Tellür, kalkopirit kristal yapısı, CIGST
Kaynak
Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
9
Sayı
4
