Cu/p-Si Schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorGümüş, Ahmet
dc.contributor.authorTemir, Hamza
dc.date.accessioned2024-11-04T20:07:37Z
dc.date.available2024-11-04T20:07:37Z
dc.date.issued2005
dc.departmentNiğde ÖHÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
dc.descriptionBu tezin, veri tabanı üzerinden yayınlanma izni bulunmamaktadır. Yayınlanma izni olmayan tezlerin basılı kopyalarına Üniversite kütüphaneniz aracılığıyla (TÜBESS üzerinden) erişebilirsiniz.
dc.descriptionFen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
dc.description.abstractÖZET Cu/p-Si SCHOTTKY DİYOTLARINDA AKIM MEKANİZMALARININ BELİRLENMESİ TEMİR,Hamza Niğde Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Ana Bilim Dalı Danışman :Yrd. Doç. Dr. Ahmet GÜMÜŞ Temmuz 2005, 80 sayfa Bu çalışmada, yüksek özdirençli [111] doğrultusunda kesilmiş p-tipi Si kristalinden yapılan Al/pSi/Cu Schottky diyot yapısının akım iletim mekanizması ve karakteristik parametreleri araştırıldı. Yapıya ait parametrelerin bulunmasında I-V karakteristikleri kullanıldı. N.V. Cheung ve S.K. Cheung tarafından verilen yöntemle diyot parametreleri hesaplandı. Schottky diyot yapısındaki omik kontak, Al-Si (p-tipi) sistemin eutectik sıcaklığı olan 577 °C 'de alaşım yapılması ile; doğrultucu kontak ise Cu metalinin p-tipi Si'a vakumda termal buharlaştırma yöntemiyle gerçekleştirildi. Buharlaştırma işlemleri 10"5 torr basınçta gerçekleştirildi. Yapıların akım-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında, karanlık ortamda yaklaşık 0-8 Volt aralığında ters ve düz belsemlerde alınmıştır. Ayrıca, Schottky diyot yapısının I-V karakteristikleri yardımı ile Schottky çiziminden dt>p= 0,78 eV, doğru beslem [dV/cUnl ]-I ve H(I)-I karakteristiklerinden eOp= 0,80 eV değerleri bulundu. Diyot idealite çarpanı n = 1,66 ile diyot seri direnci Rs=57,21 kQ ve Rs=51,36 kfi olarak bulundu. Anahtar sözcükler: Schottky diyot, Silisyum, idealite faktörü, metal-yaniletken kontak, omik kontak, doğrultucu kontak, yüzey durumları, oksit, donor, akseptör. m
dc.description.abstractSUMMARY THE DETERMINATION IN THE CURRENT MECHANISM OF THE Cu/p-Si SCHOTTKY DIODES TEMİR, Hamza Niğde University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor :Yrd. Doç. Dr. Ahmet GÜMÜŞ July 2005, 80 pages In this study Al/p-Si/Cu Schottky diode made of p-type Si Crystal that was cut in the [111] direction of high resistivity and it is parameters characteristics have been researched. So in order to find the parameters relating to the structure the characteristics of I-V were used. The diode parameters have been calculated by the use of methods given by N.V. Cheung and S.K. Cheung. The ohmic contact in the Schottky diode was fulfilled by making p-type Si alloy at 577 °C which was the eutectic temperature of P+P structure and the was made with the contact of Cu metal and p-type Si. Evaporation processes was done under the pressure of 10"5 torr. Current- Voltage (I-V) measurements of the sample at room temperature and dark medium have been taken for the range of approximately 0-8 Volts of forward and reverse bias. In addition, by using the I-V characteristics of the Schottky diode structure, e
dc.identifier.endpage91
dc.identifier.startpage1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11480/9270
dc.identifier.yoktezid167930
dc.language.isotr
dc.publisherNiğde Üniversitesi
dc.relation.publicationcategoryTez
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_2024
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliği
dc.subjectPhysics and Physics Engineering
dc.titleCu/p-Si Schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
dc.title.alternativeThe determination the current mechanism of the Cu/p-Si Schottky diodes
dc.typeMaster Thesis

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu