Yazar "Seyhan, Ayşe" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 4 / 4
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    GRAFEN SENTEZİ İÇİN ALT-TAŞ TEMİZLEME YAKLAŞIMLARI
    (2019) Altuntepe, Ali; Öztürk, M.; Kartal, Emre; Seyhan, Ayşe; Zan, Recep
    Son yılların nanoteknoloji alanında en ilgi çekici ve en yoğun araştırılan malzemelerinden bir tanesi olangrafen; yüksek elektrik ve ısı iletkenliği, saydamlık ve yüksek dayanım gibi birçok üstün özellikleri ile optoelektronikten medikal uygulamalara kadar geniş bir yelpazede kullanım alanına sahiptir. Grafen sentezinde ensık tercih edilen yöntemlerden biri kimyasal buhar biriktirme tekniği olup, bu teknikte kullanılan gazlar, alt-taş,alt-taş temizliği, sıcaklık, büyütme süresi, tavlama süresi, soğutma hızı ve basınç gibi birçok parametre grafensentezinde etkilidir. Bu parametreler arasında sentez sürecini direkt olarak etkileyen en önemli faktörlerden birtanesi alt-taş seçimi ve bunun temizlenme sürecidir. Bu çalışmada alt-taş olarak bakır tercih edilmiş olup, yüzeytemizliğinin grafen sentezine olan etkisi detaylı olarak araştırılmıştır. Bu anlamda literatürde bilinen dört farklıyüzey temizleme işlemi, grafen sentezinde kullanılan bakır folyolar için uygulanmış ve elde edilen sonuçlarortaya konmuştur. Sonuç olarak alt-taş temizliğinde grafen sentezini kolaylaştıran ve iyileştiren en etkiliyöntemlerin HF ile standart temizleme yöntemi olduğu belirlenmiş ve bu yöntemlerle tek katlı homojen grafensentezi gerçekleştirilmiştir. Diğer temizleme yöntemleri sonrası yapılan sentezde genellikle çok katmanlı vehomojen olmayan grafen filmler elde edilmiştir.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Growth of Cu2ZnSnS4 Thin Films Using Moderate Annealing Temperature and Short Dwell Time
    (2019) Olğar, Mehmet Ali; Seyhan, Ayşe
    In this study CZTS thin films were fabricated by a two-stage process that sputter deposition of metallic Cu, Zn, and Sn on Mo coated glass substrates and annealing process at 500 °C using various short dwell times (4, 8, and 12 min) using Rapid Thermal Processing (RTP) approach. The X-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, Scanning Electron Microscopy (SEM), Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (EDX), and photoluminescence were employed to characterize the CZTS samples synthesized employing different sulfurization times. It was observed that all CZTS thin films showed Cu-poor and Zn-rich composition according to EDX results. XRD patterns displayed formation of kesterite CZTS and CuS secondary phases. Raman spectra of the films justified formation of kesterite CZTS phase for all CZTS thin films and formation of CTS phase, which is difficult to distinguish by XRD pattern of the films for CZTS-8 and CZTS-12 samples. SEM images of the films displayed dense, void-free, and inhomogeneous surface structure regardless of the sulfurization time. The optical band gap of the films as determined by photoluminescence was found to be about 1.36-1.37 eV.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Investigation of the effect of oxygen flow modulation on ITO film properties to improve the performance of SHJ solar cells
    (2024) Kartal, Emre; Güçlüer, Furkan; Damgacı, Elif; Sarp, Ali Ogün; Seyhan, Ayşe; Kaplan, Yüksel
    Photovoltaic technology offers a sustainable solution for the growing energy needs of the world, while reducing environmental impact. Transparent Conductive Oxides (TCOs), which are essential in photovoltaic technology, offer high light transmittance and effective charge carrier extraction. This research focuses on the impact of oxygen (O2) flow rates in the deposition of indium tin oxide (ITO) films on n-type crystalline silicon (c-Si) substrates by DC magnetron sputtering. The structural, optical, and electrical properties were analyzed. Based on the results, the optimal O2 ratio was determined and used in the fabrication of SHJ solar cells, achieving an efficiency of 18.6%.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    YÜKSEK VERİMLİ KRİSTAL SİLİSYUM (c-Si) HETEROEKLEM GÜNEŞ HÜCRELERİ ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU
    (2019) Seyhan, Ayşe
    Tek kristalli silisyum (Si) alttaşlar üzerine ince a-Si tabakalardan oluşan c-silisyum heteroeklem teknolojisi sonyıllarda fotovoltaik (FV) alanında bir çok araştırmacı ve bilim adamı tarafından çalışılan önemli bir araştırmakonusudur. Silisyum heteroeklem güneş hücre teknolojisi, yüksek enerji dönüşüm verimliliği ve rekabetçi seriüretim maliyeti ile kendisini ispat etmiş ve yeni geliştirilen teknolojileri bünyesine entegre edebilme kabiliyetiile potansiyelini ortaya koymuş bir güneş hücresi teknolojisidir Bu çalışmada, silisyum heteroeklem güneşhücrelerinin üretim aşamaları ve karakterizasyonu detaylı bir şekilde çalışılmıştır. a-Si:H incefilmlerin kalınlık,bant aralığı ve taşıyıcı yaşam süresi gibi özellikleri elipsometre, profilometre ve taşıyıcı yaşam süresi cihazı ilearaştırılmış ve optimizasyonu yapılmıştır. 6 inç n-tipi c-Si alttaş üzerine büyütülen katkısız ince film tabakalıheteroeklem (heterojunction with intrinsic thin-layer, HIT) yapısı ile %19,7 verimli güneş hücresi üretilmiştir.