YÜKSEK VERİMLİ KRİSTAL SİLİSYUM (c-Si) HETEROEKLEM GÜNEŞ HÜCRELERİ ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU
Küçük Resim Yok
Tarih
2019
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Tek kristalli silisyum (Si) alttaşlar üzerine ince a-Si tabakalardan oluşan c-silisyum heteroeklem teknolojisi sonyıllarda fotovoltaik (FV) alanında bir çok araştırmacı ve bilim adamı tarafından çalışılan önemli bir araştırmakonusudur. Silisyum heteroeklem güneş hücre teknolojisi, yüksek enerji dönüşüm verimliliği ve rekabetçi seriüretim maliyeti ile kendisini ispat etmiş ve yeni geliştirilen teknolojileri bünyesine entegre edebilme kabiliyetiile potansiyelini ortaya koymuş bir güneş hücresi teknolojisidir Bu çalışmada, silisyum heteroeklem güneşhücrelerinin üretim aşamaları ve karakterizasyonu detaylı bir şekilde çalışılmıştır. a-Si:H incefilmlerin kalınlık,bant aralığı ve taşıyıcı yaşam süresi gibi özellikleri elipsometre, profilometre ve taşıyıcı yaşam süresi cihazı ilearaştırılmış ve optimizasyonu yapılmıştır. 6 inç n-tipi c-Si alttaş üzerine büyütülen katkısız ince film tabakalıheteroeklem (heterojunction with intrinsic thin-layer, HIT) yapısı ile %19,7 verimli güneş hücresi üretilmiştir.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Mühendislik, Elektrik ve Elektronik, Fizik, Uygulamalı
Kaynak
Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
8
Sayı
2
