n-InP yarıiletkeni üzerine schottky diyotunun yapımı, diyotun akım-voltaj ve kapasitans-voltaj özeliklerinin incelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorCanımoğlu, Adil
dc.contributor.authorÇelik, Gülcan
dc.date.accessioned2024-11-04T20:06:32Z
dc.date.available2024-11-04T20:06:32Z
dc.date.issued2006
dc.departmentNiğde ÖHÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
dc.descriptionFen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
dc.description.abstractBu çalışmada, birkaç n-InP Schottky diyotu yapıldı. Bu diyotların performansınıbelirlemek için I-V ve C-V ölçümleri kullanıldı. n-InP numunelerin mat yüzeyi üzerin 2adet ohmik kontak yapıldı. Bu işlemden sonra, Schottky kontaklar yapılmadan önce n-InP numunelerin temizlendi ve yakıldı. Daha sonra, bu numuneler 10-7 torr' luk vakumsistemin içine yerleştirildi ve numunenin parlak kısmına kalaylama yöntemi ile gümüşnoktalar yerleştirerek, 2 adet Schottky kontak yapıldı. Yapılan her Schottky diyot TO-5transistör başlığı üzerine monte edildi. Bu Schottky diyotların I-V ve C-V ölçümleriyapıldı. Her diyotun I-V ve C-V verileri tartışıldı. Schottky diyotun elektrikselözelikleri, belirgin bir şekilde numunelerin yüzey temizliklerine bağlı olduğu bulundu.Anahtar Kelimeler: n-InP, Ohmik kontak, Schottky diyot, ince film, I-V ve C-Völçümleri, metal-yarıiletken kontakları.
dc.description.abstractIn this work, several InP Schottky diodes were developed and I-V and C-Vmeasurements were performed to determine the performance of these diodes. Twoohmic contacts were made on the substrate of n-InP samples. After this process, n-InPsample substrates were cleaned and etched before formation of the Schottky contacts.Then, these samples were placed in a vacuum system at 10-7 torr and two Schottkycontacts were developed on the samples evaporating the silver dots on their shiny parts.Each fabricated Schottky diode was mounted on a TO-5 transistor header. I-V and C-Vmeasurements of these Schottky diodes were carried out. I-V and C-V spectra of eachdiode were discussed. It is found that the electrical properties of a Schottky diodesignificantly depend on the cleanlines of the surface of the samples.Key_words : n-InP, Ohmic contact, Schottky diode, thin film, I-V and C-Vmeasurements, metal-semiconductor contacts.
dc.identifier.endpage72
dc.identifier.startpage1
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=-L8ilcwn9ZRRc_YMKxXW1pvwv3ND00hr-hA_7UneA91_DYRUd5fPeZ0UL8KfY3aP
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11480/9240
dc.identifier.yoktezid182620
dc.language.isotr
dc.publisherNiğde Üniversitesi
dc.relation.publicationcategoryTez
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_2024
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliği
dc.subjectPhysics and Physics Engineering
dc.titlen-InP yarıiletkeni üzerine schottky diyotunun yapımı, diyotun akım-voltaj ve kapasitans-voltaj özeliklerinin incelenmesi
dc.title.alternativeProduction of schottky diode on n-InP semiconductor and investigation current-voltage and capacitance-voltage properties
dc.typeMaster Thesis

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu