ZnTe/Si heteroeklem yapıların akım iletim mekanizmalarının incelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorAksoy Akgül, Funda
dc.contributor.authorKalkan, Mehmet
dc.date.accessioned2021-09-02T05:39:02Z
dc.date.available2021-09-02T05:39:02Z
dc.date.issued2019
dc.date.submitted2019-09
dc.departmentNiğde ÖHÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
dc.description.abstractYarı iletken p-n heteroeklem yapıların elektriksel özelliklerinin daha iyi anlaşılması, gelecekte ideal özelliklere sahip uzun ömürlü diyotların ve transistörlerin üretimini mümkün kılar. Bu tez çalışmasının temel amacı, ZnTe/Si yapısından oluşan p-n heteroeklemlerindeki akım-iletim mekanizmalarının ayrıntılı bir araştırmasıdır. Heteroeklemli diyotlar, p-tipi ZnTe ince filmlerinin tek tarafı parlatılmış n-tipi (100)-yönelimli kristal Si alttaşlar üzerine RF magnetron saçtırma tekniği ile kaplanmasıyla oluşturuldu. Üretilen yapıların aygıt özelliklerini ve baskın iletim mekanizmasını belirlemek için, heteroeklemlerin sıcaklık bağımlı akım-gerilim (I-V) ve frekans bağımlı kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri karanlık ortamda incelendi. İdealite faktörü (n), doyum akımı (I0) ve bariyer yüksekliği (?B) gibi temel diyot parametreleri 20 K sıcaklık adımlarıyla 220-360 K sıcaklık aralığında belirlendi. Elektriksel ölçümler yapıların oda sıcaklığında iyi tanımlı doğrultucu davranış sergilediğini ve ±2 V gerilim değerlerinde ?2,4?104 doğrultma oranına ve n = 2,13 değerinde küçük idealite faktörüne sahip olduğunu gösterdi. Elde edilen n, I0 and ?B değerleri sırasıyla 2,76–1,93, 1,13?10-11?7,56?10-10 A ve 0,6–0,91 eV aralığında bulundu.
dc.description.abstractBetter understanding of the electrical properties of semiconductor p-n heterojunction structures enables the fabrication of long-lasting diodes and transistors with ideal characteristics in future. The main goal of this thesis is a detailed investigation of the current transport mechanisms in p-n heterojunctions composed of ZnTe/Si structure. Heterojunction diodes were constructed by depositing of p-type ZnTe thin films on one-side polished n-type (100)-oriented crystalline Si substrates through RF magnetron sputtering technique. Temperature dependent current-voltage (I-V) and frequency dependent capacitance-voltage (C-V) characteristics of the heterojunctions were investigated under dark conditions to determine the device properties and dominant conduction mechanism in the fabricated structures. Important diode parameters such as ideality factor (n), dark saturation current (I0) and barrier height (?B) were evaluated in the temperature interval of 220-360 K with 20 K temperature steps. Electrical measurements revealed that the structures have a well-defined rectifying behavior with a good rectification ratio of ?2,4?104 at ±2 V and a relatively small ideality factor of n = 2,13 at room temperature. The estimated values of the n, I0 and ?B were found to be between 2.76–1.93, 1.13?10-11?7.56?10-10 A and 0.6–0.91 eV, respectively.
dc.identifier.citationKalkan, M. (2019). ZnTe/Si heteroeklem yapıların akım iletim mekanizmalarının incelenmesi. (Yüksek Lisans Tezi) Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Niğde
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11480/7824
dc.identifier.yoktezid593924
dc.language.isotr
dc.publisherNiğde Ömer Halisdemir Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü
dc.relation.publicationcategoryTez
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectZnTe ince filmi
dc.subjectSi kristali
dc.subjectRF magnetron saçtırma yöntemi
dc.subjectp-n heteroeklem yapı
dc.subjectSıcaklık bağımlı I-V
dc.subjectFrekans bağımlı C-V
dc.subjectZnTe thin film
dc.subjectSi crystal
dc.subjectRF magnetron sputtering method
dc.subjectp-n heterojunction structure
dc.subjectTemperature dependent I-V
dc.subjectFrequency dependent C-V
dc.titleZnTe/Si heteroeklem yapıların akım iletim mekanizmalarının incelenmesi
dc.title.alternativeInvestigation of the current transport mechanisms of ZnTe/Si heterojunction structures
dc.typeMaster Thesis

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
ZnTeSi heteroeklem yapıların akım iletim mekanizmalarının incelenmesi.pdf
Boyut:
4.69 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu